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J-GLOBAL ID：200903011364237496

超電導磁石装置及びその着磁方法

Inventor： 本名 孝男 ,  北之園 英博 ,  小田部 宗倫
Applicant, Patent owner： 株式会社日立メディコ
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995319602
Publication number (International publication number)：1997139308
Application date： Nov. 14, 1995
Publication date： May. 27, 1997
Summary：

【要約】【課題】超電導磁石装置が形成する静磁場の経時的な減衰を少なくし、定期的な静磁場強度のメンテナンス作業を不要にする。【解決手段】超電導体からなる静磁場発生源と、該静磁場発生源とそれを超電導状態に冷却するための冷却手段とを収納する冷却容器とを備えた超電導磁石装置において、前記静磁場発生源と静磁場空間との間で、前記静磁場発生源の近傍に、静磁場減衰防止手段を配置する。静磁場減衰防止手段は静磁場発生源の内周側に配置された超電導体とこの超電導体を加熱する加熱手段とからなる。静磁場発生源を着磁した後、静磁場減衰防止手段の超電導体を加熱手段で加熱して常電導状態にし、更に冷却して超電導状態に戻しておく。上記の構成により、静磁場発生源の超電導電流の減衰を、静磁場減衰防止手段の超電導体に超電導電流が流れることによって補償する。

Claim (excerpt)：

超電導体からなる静磁場発生源と、該静磁場発生源とそれを超電導状態に冷却するための冷却手段とを収納する冷却容器を備えた超電導磁石装置において、前記静磁場発生源の近傍に、前記静磁場発生源により作られる静磁場の磁束密度の経時的な減衰を防止する静磁場減衰防止手段を配したことを特徴とする超電導磁石装置。

IPC (2)：

H01F 6/00 ZAA ,  H01F 13/00

FI (2)：

H01F 7/22 ZAA A ,  H01F 13/00 A