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J-GLOBAL ID：200903011382377289

ITOのドライエッチング方法

Inventor： 大八木 茂樹 ,  岡崎 尚登 ,  荻野 誠一
Applicant, Patent owner： 日新電機株式会社
Agent (1)： 谷川 昌夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992242493
Publication number (International publication number)：1994077174
Application date： Sep. 11, 1992
Publication date： Mar. 18, 1994
Summary：

【要約】【目的】 メタンガスのような炭化水素ガス及び水素ガスを用いるITOのドライエッチング方法において、炭化水素ガスに起因する炭素系膜の被エッチング物への生成(デポジション)を抑制する。【構成】 エッチング開始に先立ってエッチングチャンバ1内に配置した被エッチング物8を予熱して、又は予熱せず、エッチングにあたっては、エッチング用ガスとしてCH4 、H2 及び酸素化合物を含むガスを該チャンバ1内へ導入して該ガスをプラズマ化し、該プラズマのもとで該被エッチング物8におけるITOをドライエッチングする。

Claim (excerpt)：

エッチング用ガスとして炭化水素ガスと、水素ガスと、酸素化合物とを含むガスをエッチングチャンバ内へ導入して該ガスをプラズマ化し、該プラズマのもとで該チャンバ内に配置した被エッチング物におけるITOをエッチングすることを特徴とするITOのドライエッチング方法。

IPC (2)：

H01L 21/302 ,  H01L 29/784