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J-GLOBAL ID：200903011392529680

複合基板とその製造方法及び半導体装置

Inventor： 近藤 将夫 ,  堀内 勝忠 ,  今村 慶憲 ,  村上 英一
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991255009
Publication number (International publication number)：1993094929
Application date： Oct. 02, 1991
Publication date： Apr. 16, 1993
Summary：

【要約】【構成】貼り合わせるべき基板1,1′の表面に多結晶Ge膜3を堆積し、研磨,平坦化した後、密着させ500°C〜600°Cで加熱して貼り合わせる。その後、一方の基板を裏面から研削して薄層化する。【効果】貼り合わせのための加熱温度が500°C〜600°Cまで低温化できるため、不純物層や配線層が形成された基板あるいは化合物半導体基板を、それらの構造,特性を劣化させることなく貼り合わせることが可能となる。

Claim (excerpt)：

複数枚の基板が多結晶Geもしくは多結晶SiGe混晶の薄膜を介して貼り合わされた構造を有することを特徴とする複合基板。

IPC (3)：

H01L 21/02 ,  H01L 27/12 ,  H01L 27/15