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J-GLOBAL ID：200903011399494769
半導体単結晶引き上げ装置および引き上げ方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993235335
Publication number (International publication number)：1995061889
Application date： Aug. 26, 1993
Publication date： Mar. 07, 1995
Summary：
【要約】【目的】 単結晶中のOSF密度の低減ならびに熱処理による微小欠陥の発生率低減を可能とする半導体単結晶引き上げ装置および引き上げ方法を提供する。【構成】 単結晶引き上げ領域の周囲に配設する輻射スクリーン8を、上端開口部より下端開口部が小さい円錐状の筒の下端に下方に向かって広がる円錐状の折り曲げ部8aを付加した形状とする。この輻射スクリーン8は断熱材を用いて成形され、表面はモリブデン鋼などで被覆されている。前記折り曲げ部8aの屈曲点8bの位置は、単結晶9の温度が1200〜1300°Cとなる位置の近傍に設けられている。単結晶9の引き上げに際し、融液5から放射される熱は前記折り曲げ部8aで反射して単結晶9の下部に輻射熱として作用する。これにより、前記折り曲げ部8aによって囲まれた単結晶9の下部は、融液5からの伝熱と輻射熱により十分に保温されると同時に1200°C以下の温度領域の冷却を早めることによりOSF密度が低減する。
Claim (excerpt)：
半導体単結晶の原料を溶解するるつぼと、このるつぼの周囲にあってるつぼ内の原料を加熱するヒータと、溶解した原料に種子結晶を浸漬して単結晶を引き上げる引き上げ機構とを備え、引き上げ領域を取り囲み下端開口部の直径が上端開口部の直径より小さい円錐状の断熱筒からなる輻射スクリーンを融液近傍上方に配設した半導体単結晶引き上げ装置において、前記輻射スクリーンの下端に下方に向かって広がる円錐状の断熱筒を接続することによって輻射スクリーンに折り曲げ部を形成したことを特徴とする半導体単結晶引き上げ装置。
IPC (4)：
C30B 15/00
, C30B 15/14
, C30B 29/06 502
, H01L 21/208
