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J-GLOBAL ID：200903011423859650

磁界センサ

Inventor： 武井 弘次 ,  石井 修 ,  千田 正勝
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社
Agent (1)： 長尾 常明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996030125
Publication number (International publication number)：1997205235
Application date： Jan. 25, 1996
Publication date： Aug. 05, 1997
Summary：

【要約】【課題】 磁界感度が大幅に向上した磁気センサを提供する。【解決手段】 導電体層1、7の間に、絶縁体層2、4、6により相互に絶縁分離した2つの磁性導電体層3、5を介在させ、且つ導電体層1を電極Q1に、磁性導電体層3、5を電極Q2に、導電体層7を電極Q3に接続した。

Claim (excerpt)：

N(≧2)個の磁性導電体層と、該N個の磁性導電体層をトンネル電流が流れる程度の膜厚で相互に絶縁分離して積層するN+1個の絶縁体層とにより積層両面が前記絶縁体層で被われた障壁層を形成し、該障壁層の前記積層両面を第1、第2の導電体層で挟持し、且つ前記第1の導電体層を第1の電極に接続し、前記N個の磁性導電体層を第2の電極に共通接続し、前記第2の導電体層を第3の電極に接続したことを特徴とする磁界センサ。

IPC (3)：

H01L 43/08 ,  G01R 33/02 ,  G01R 33/09

FI (3)：

H01L 43/08 Z ,  G01R 33/02 A ,  G01R 33/06 R