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J-GLOBAL ID：200903011426308514

カーボンナノチューブを用いた大容量磁性メモリ

Inventor： 丑田 隆史 ,  森 信行 ,  上條 芳省 ,  中嶋 恒 ,  岡崎 暁洋 ,  三塚 輝 ,  畠山 力三 ,  井門 秀秋 ,  蛸島 武広
Applicant, Patent owner： ユーエムケー・テクノロジ-株式会社
Agent (1)： 入交 孝雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002155384
Publication number (International publication number)：2003347515
Application date： May. 29, 2002
Publication date： Dec. 05, 2003
Summary：

【要約】【課題】 垂直磁気記録方式による磁化膜に対して、純電気的なランダムアクセスによる磁気記録の書込、読取を可能とし、記録の大容量化と高速化を実現する。【解決手段】 垂直磁気記録膜50に対して、書込磁界発生手段62及び書込ワード線43を配置し、これに相対するプローブ基板10上に、読出/書込ビット線導体41、磁気抵抗効果素子20、及び読出ワード線導体42を積層し、その上に磁性材料を内包したカーボンナノチューブからなる磁気プローブ30を立設して読出/書込ビット線導体と導通させ、書込時には書込磁界の下で磁気プローブ先端と磁気記録膜間の間隙Gを介した書込電流による微小放電により磁気記録膜の微小領域を加熱してキューリー点を経由せしめて書込磁界方向に磁化し、読取時にはこの磁気記録を磁気プローブを介して磁気抵抗素子の電流変化として読取る。

Claim (excerpt)：

磁気記録媒体に対して微小間隙を介して電極を配置し、記録磁界の下で放電により加熱して、キュリー点以上の温度を経由させることにより記録磁界方向に磁化する磁気記録方法。

IPC (3)：

H01L 27/105 ,  G11C 11/15 110 ,  H01L 43/08

FI (4)：

G11C 11/15 110 ,  H01L 43/08 D ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 27/10 447

F-Term (1)：

5F083FZ10