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J-GLOBAL ID：200903011431629396
太陽電池
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993264611
Publication number (International publication number)：1995122761
Application date： Oct. 22, 1993
Publication date： May. 12, 1995
Summary：
【要約】 (修正有)【目的】 従来技術の有していた特性不十分、動作寿命中の特性の劣化等の課題を解決して、優れた発電特性を示す太陽電池を提供する。【構成】 基板上に第1の電極21を備え、該電極上に n、i、p の順に半導体層を形成し、さらに第2の電極22を設けてなる Si 系非晶質太陽電池において、上記 n 層が、第1の電極21に接する部分では非晶質 n 層6であり、さらにその上に微結晶 n 層7を形成してなる層である。または、上記 n 層が、第1の電極に接する部分では非晶質 n層であり、その上に微結晶 n 層を形成し、さらにその上に非晶質 n 層を形成してなる層である。あるいは、基板上に第1の電極を備え、該電極上に p、i、n の順に半導体層を形成し、さらに第2の電極を設けてなる Si 系非晶質太陽電池において、 n 層が、 i 層と接する部分では非晶質 n 層であり、その上に微結晶 n 層を形成してなる層である。
Claim (excerpt)：
基板上に第1の電極を備え、該電極上に n、i、p の順に半導体層を形成し、さらに第2の電極を設けてなる Si 系非晶質太陽電池において、上記 n 層が、上記第1の電極に接する部分では非晶質 n 層であり、さらにその上に微結晶 n層を形成してなる層であることを特徴とする太陽電池。
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
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