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J-GLOBAL ID：200903011437733055
半導体装置の製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
高月 亨
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991055872
Publication number (International publication number)：1993206107
Application date： Feb. 27, 1991
Publication date： Aug. 13, 1993
Summary：
【要約】 (修正有)【目的】 有機シリコン系化合物とオゾンとの反応により絶縁膜を形成する場合も下地依存性が小さく良質で安定な平坦化絶縁膜を形成できる半導体装置の製造方法を提供する。【構成】 段差2を有する基体1上の熱酸化膜3を窒素系ガスでプラズマ処理することにより、あるいは、熱酸化膜3上に不純物含有絶縁膜を形成し、有機シリコン系化合物とオゾンとの反応により平坦化絶縁膜4を得る。
Claim (excerpt)：
段差を有する基体上に熱酸化膜を形成する熱酸化膜形成工程と、熱酸化膜の表面を窒素系ガスでプラズマ処理するプラズマ処理工程と、有機シリコン系化合物とオゾンとの反応により基体上に平坦化絶縁膜を形成する平坦化絶縁膜形成工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
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