Pat

J-GLOBAL ID：200903011441121293

Siクラスレート化合物及びその製造方法、並びに熱電材料

Inventor： 小柳 剛 ,  長本 泰征
Applicant, Patent owner： 財団法人やまぐち産業振興財団
Agent (1)： 筒井 大和 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999240226
Publication number (International publication number)：2001064006
Application date： Aug. 26, 1999
Publication date： Mar. 13, 2001
Summary：

【要約】【課題】 毒性のない元素を使用した新規熱電材料を提供すること。【解決手段】 構成元素の供給原料をアーク溶融して、冷却することにより、Siの一部がAlで置換され、包接構造内にBaが内包された構成のSiクラスレート化合物が得られる。かかるSiクラスレート化合物は、熱電材料として使用することができる程度に低い格子熱伝導度を示した。

Claim (excerpt)：

Siの一部が第1の元素で置換され、包接構造内部に第2の元素が内包されていることを特徴とするSiクラスレート化合物。

IPC (3)：

C01B 33/02 ,  H01L 35/14 ,  H01L 35/34

FI (3)：

C01B 33/02 Z ,  H01L 35/14 ,  H01L 35/34

F-Term (18)：

4G072AA20 ,  4G072BB01 ,  4G072BB05 ,  4G072GG01 ,  4G072GG02 ,  4G072GG03 ,  4G072HH01 ,  4G072JJ08 ,  4G072JJ09 ,  4G072MM01 ,  4G072MM26 ,  4G072MM37 ,  4G072MM38 ,  4G072QQ02 ,  4G072RR07 ,  4G072RR22 ,  4G072TT30 ,  4G072UU30