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J-GLOBAL ID：200903011447717660

静電誘導トランジスタの製造方法

Inventor： ジョセフ・イー・ファーブ ,  クアン・ワイ・リャオ ,  モウ - ロン・チン
Applicant, Patent owner： ヒューズ・エアクラフト・カンパニー
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993144031
Publication number (International publication number)：1995007158
Application date： Jun. 15, 1993
Publication date： Jan. 10, 1995
Summary：

【要約】【目的】 セルフアライン静電誘導トランジスタの製造方法を提供することを目的とする。【構成】 基板上にNシリコン及び活性領域を形成し、活性領域の回りにガ-ドリングを形成し、基板上にN+ ポリシリコン層を形成し、基板に隣接してN+ 層を形成し、N+ ポリシリコン層上に酸化物層、第2のポリシリコン層、第2の酸化物層セルフアラインマスクを順次形成し、セルフアラインマスクを用いて基板をエッチングしてトレンチを形成し、トレンチの底部にゲ-ト領域を形成し、頂部に第1の金属層を堆積し、ゲ-ト領域とのコンタクトを得て、表面にフォトレジスト層を堆積し、オ-バ-エッチングし、フォトレジスト層を除去し、表面にプラズマ窒化物層、ポリシリコンマスクを順次形成し、上面をエッチングして、フィ-ルド領域上の第1の金属層を露出し、第2の金属層を堆積し、ソ-ス及びゲ-ト領域とのコンタクトを得て、頂部にパッシベ-ション層を堆積する工程を具備する。

Claim (excerpt)：

N- シリコン基板上にNシリコンを製造する工程、基板上に活性領域を形成する工程、活性領域の回りにガ-ドリングを形成する工程、トランジスタのソ-ス及びゲ-ト領域を含む基体上にN+ ポリシリコン層を形成する工程、基板に隣接してN+ 層を形成する工程、N+ ポリシリコン層の頂部に酸化物層を形成する工程、酸化物層上に第2のポリシリコン層を形成する工程、第2のポリシリコン層の頂部に第2の酸化物層を形成する工程、第2の酸化物層の頂部にセルフアラインマスクを形成する工程、セルフアラインマスクを用いて、基板をエッチングしてトレンチを形成する工程、トレンチの底部にゲ-ト領域を形成する工程、トランジスタの頂部に第1の金属層を堆積して、ゲ-ト領域とのコンタクトを得る工程、トランジスタの表面にフォトレジスト層を堆積して、平坦化する工程、第1の金属層をトレンチの上面以下の所定の深さにオ-バ-エッチングする工程、フォトレジスト層を除去する工程、トランジスタの表面にプラズマ窒化物層を堆積して、平坦化する工程、プラズマ窒化物の平坦化された層上にポリシリコンマスクを形成する工程、トランジスタの上面をエッチングして、トランジスタのフィ-ルド領域上に配置された第1の金属層を露出する工程、トランジスタの頂部に第2の金属層を堆積して、ソ-ス及びゲ-ト領域とのコンタクトを得る工程、トランジスタの頂部にパッシベ-ション層を堆積する工程、及び第1及び第2の金属層と接続する配線パッドを形成する工程を具備する、セルフアライン静電誘導トランジスタの製造方法。