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J-GLOBAL ID：200903011454377556

SOI基板の製造方法

Inventor： 大木 好 ,  片山 正健 ,  太田 豊
Applicant, Patent owner： 信越半導体株式会社
Agent (1)： 舘野 公一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991321158
Publication number (International publication number)：1993136108
Application date： Nov. 08, 1991
Publication date： Jun. 01, 1993
Summary：

【要約】【目的】 拡散により高濃度層を形成したシリコン基板と、支持体のシリコン基板とをシリコン酸化膜を介して結合する場合に、確実に高い結合強度で結合することができ、結合後の研削、研磨の工程やダイシングの工程等で剥離現象を起こすことがなく、集積回路に利用する面積の損失をなくすことができる。【構成】 拡散により高濃度層を形成したシリコン基板と、支持体のシリコン基板とをシリコン酸化膜を介して結合する際に、該シリコン酸化膜の形成を、支持体の基板に限定して行うことにより、拡散による高濃度埋め込み層を有するSOI基板を得る。

Claim (excerpt)：

表面に熱拡散により活性不純物の高濃度層を形成したシリコン単結晶基板と、拡散を行わないシリコン単結晶基板とを、シリコン酸化膜を介して直接結合するに際し、該シリコン酸化膜の形成を、拡散を行わない基板に限定して行うことにより、該高濃度埋め込み拡散層を該酸化膜に接して有するSOI基板を得ることを特徴とするSOI基板の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/304 321 ,  H01L 27/12 ,  H01L 21/02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平4-199608
  
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-285071   Applicant：富士通株式会社
• 半導体ウエハの製造方法および半導体集積回路装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-287580   Applicant：株式会社日立製作所