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J-GLOBAL ID：200903011481207565

超微細周期構造の製造方法

Inventor： 名西 ▲やす▼之 ,  今井 茂
Applicant, Patent owner： 学校法人立命館
Agent (1)： 渡辺 三彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998003712
Publication number (International publication number)：1999204439
Application date： Jan. 12, 1998
Publication date： Jul. 30, 1999
Summary：

【要約】【課題】 原子レベルの周期的構造を十分な精度をもって実現することができる超微細周期構造の製造方法を提供すること。【解決手段】 コヒーレントな放射光、レーザー光またはコヒーレントな電子ビームのいずれかを複数の方向から基板7の表面に照射して基板表面に2次元干渉像を形成し、同時に原料分子または原料原子を照射することにより、上記原料分子または原料原子が反応してなる材料24を基板7上の上記2次元干渉像の存在する位置のみに選択的に堆積させるようにしたもの。

Claim (excerpt)：

コヒーレントな放射光、レーザー光またはコヒーレントな電子ビームのいずれかを複数の方向から基板表面に照射して基板表面に2次元干渉像を形成し、同時に原料分子または原料原子を照射することにより、上記原料分子または原料原子が反応してなる材料を上記基板上の上記2次元干渉像の存在する位置のみに選択的に堆積させることを特徴とする超微細周期構造の製造方法。

IPC (4)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/302 ,  H01L 21/31

FI (4)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/285 Z ,  H01L 21/31 B ,  H01L 21/302 Z