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J-GLOBAL ID：200903011485097888
発光ダイオード
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
長谷川 曉司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994218470
Publication number (International publication number)：1996083926
Application date： Sep. 13, 1994
Publication date： Mar. 26, 1996
Summary：
【要約】【目的】 りん化ひ化ガリウム混晶エピタキシャルウエハを用いた高発光強度かつ長寿命の発光ダイオードを提供することである。【構成】 {100}面から特定の<110>方向へ5〜16°、好ましくは、11〜15°偏位した面方位を有するIII-V族化合物単結晶基板を用いる。
Claim (excerpt)：
閃亜鉛鉱型の結晶構造を有するIII-V族化合物単結晶基板上に、りん化ガリウムまたはりん化ひ化ガリウム混晶エピタキシャル層を成長したエピタキシャルウエハからなる発光ダイオードにおいて、前記基板の表面が下記に示す結晶学的面方位のいずれか一つであることを特徴とする発光ダイオード。(1)(100)面から[010]、[001]、[0-10]または[00-1]方向へ5〜16 ゚偏位した面。(2)(-100)面から[010]、[001]、[0-10]または[00-1]方向へ5〜16 ゚偏位した面。(3)(010)面から[100]、[-100]、[001]または[00-1]方向へ5〜16 ゚偏位した面。(4)(0-10)面から[100]、[-100]、[001]または[00-1]方向へ5〜16 ゚偏位した面。(5)(001)面から[100]、[-100]、[010]または[0-10]方向へ5〜16 ゚偏位した面。(6)(00-1)面から[100]、[-100]、[010]または[0-10]方向へ5〜16 ゚偏位した面。
Patent cited by the Patent：
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