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J-GLOBAL ID：200903011493790240

表面型の加速度センサ及びその製造方法

Inventor： 岩田 仁 ,  村手 真
Applicant, Patent owner： 株式会社東海理化電機製作所
Agent (1)： 恩田 博宣
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994243127
Publication number (International publication number)：1996111533
Application date： Oct. 06, 1994
Publication date： Apr. 30, 1996
Summary：

【要約】【目的】 小型化、高感度化及び実装容易化を達成することができる表面型の加速度センサを提供する。【構成】 本発明の表面型の加速度センサ1は、p型単結晶シリコン基板2と、カンチレバー構造部としての片持ち梁5と、複数の歪みゲージ7とを備える。片持ち梁5は、p型単結晶シリコン基板2の表面側に形成された凹部3内において、上下方向に変位可能に配置されている。片持ち梁5は、主としてn型単結晶シリコンのエピタキシャル成長層6からなる。歪みゲージ7はp型シリコンからなり、片持ち梁5の基端部上面に形成されている。

Claim (excerpt)：

表面側に凹部(3)が形成されたp型単結晶シリコン基板(2)と、主としてn型単結晶シリコンのエピタキシャル成長層(6,35,37)からなり、前記凹部(3)内において変位可能に配置されたカンチレバー構造部と、p型シリコンからなり、前記カンチレバー構造部の上面に形成された歪みゲージ(7)とを備えた表面型の加速度センサ。

IPC (2)：

H01L 29/84 ,  G01P 15/12

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平3-255369
  
• Si基体及びその加工方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-276376   Applicant：キヤノン株式会社
• 特開昭64-050532
  
• 特開昭56-087372