Pat

J-GLOBAL ID：200903011494995830

半導体リレー

Inventor： 仲矢 実 ,  小町 友則
Applicant, Patent owner： 横河電機株式会社
Agent (1)： 渡辺 正康
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996126879
Publication number (International publication number)：1997312392
Application date： May. 22, 1996
Publication date： Dec. 02, 1997
Summary：

【要約】【課題】LSIテスターなどに使用する、多数の微弱信号を高速で切り換えるリレーであって、耐圧が大きく出力端子間容量が小さい半導体リレーを実現することにある。【解決手段】発明の半導体リレーは、入力信号を受けて発光するLEDと、この発光信号を受けるフォトダイオードアレイと、このフォトダイオードアレイの出力信号をゲート入力信号とする横型DMOS FETとからなる半導体リレーであって、不純物を低濃度にした半導体基板と、この半導体基板の中に細長く形成した半導体のドリフト層であって所定の耐電圧値が得られるドリフトチャンネル長と曲率半径が前記のチャンネル長より大きい円形の両端部をもったドリフト層と、このドリフト層の中に形状をより小さく形成した半導体のドレイン層と、前記ドリフト層の外側にゲート電極及びソース層とを形成したことを特徴とする横型DMOSFETからなる。

Claim (excerpt)：

入力信号を受けて発光するLEDと、この発光信号を受けるフォトダイオードアレイと、このフォトダイオードアレイの出力信号をゲート入力信号とする横型DMOS FETとからなる半導体リレーにおいて、不純物を低濃度にした半導体基板と、この半導体基板の1つの面に所定の幅をもって細長く形成しその両端部を前記の幅よりも大きい径の円弧形にしたドレイン層と、前記のドレイン層を中に配置し所定の耐電圧値が得られるよう前記のドレイン層から一定の幅(ドリフトチャンネル長)をもって前記ドレイン層と相似形に形成したドリフト層と、このドリフト層の外側に形成したゲート電極及びソース層とから構成したことを特徴とする横型DMOS FETからなる半導体リレー。

IPC (3)：

H01L 29/78 ,  H01L 31/10 ,  H03K 17/78

FI (3)：

H01L 29/78 301 W ,  H03K 17/78 F ,  H01L 31/10 E