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J-GLOBAL ID：200903011501875420

圧電性高分子膜、表面波圧電素子および超音波トランスデューサ

Inventor： 大東 弘二 ,  表 研次 ,  木村 邦子 ,  坂倉 治美
Applicant, Patent owner： 東レ株式会社
Agent (1)： 伴 俊光
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993240638
Publication number (International publication number)：1995074407
Application date： Aug. 31, 1993
Publication date： Mar. 17, 1995
Summary：

【要約】【目的】 ずり圧電性の大きいP(VDF-TrFE)および、P(VDF-TeFE)膜を用いることによって、高効率の表面波素子及び超音波トランスデューサを提供する。【構成】 ずり圧電性を有しており、その電気機械結合定数(k15および/又はk24)が0.1以上のフッ化ビニリデン/3フッ化エチレン共重合体および/又はフッ化ビニリデン/4フッ化エチレン共重合体からなる圧電性高分子膜、およびそれを用いた表面波圧電素子、超音波トランスデューサ。

Claim (excerpt)：

ずり圧電性を有しており、その電気機械結合定数(k15および/又はk24)が0.1以上のフッ化ビニリデン/3フッ化エチレン共重合体および/又はフッ化ビニリデン/4フッ化エチレン共重合体からなる圧電性高分子膜。

IPC (5)：

H01L 41/193 ,  H01L 41/26 ,  H03H 9/17 ,  H03H 9/25 ,  H04R 17/00 330

FI (2)：

H01L 41/18 102 ,  H01L 41/22 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭56-111281
  
• 特開昭63-132514
  
• 特開昭56-006598