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J-GLOBAL ID：200903011502150356
縦型ダイヤモンド電界効果トランジスタ及びその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
藤巻 正憲
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993137801
Publication number (International publication number)：1994061494
Application date： Jun. 08, 1993
Publication date： Mar. 04, 1994
Summary：
【要約】 (修正有)【目的】 高電流及び高電圧で作動することができる信頼性が高い縦型ダイヤモンド電界効果トランジスタを得る。【構成】 高ドープシリコンよりなる基板11の一方の表面11b上にダイヤモンド層12が形成されている。このダイモンド層12上にはソースコンタクト17と、ソースコンタクト17に隣接したゲートコンタクト16とが形成されており、基板11の裏面にはドレインコンタクト15が形成されている。この縦型電界効果トランジスタ10においては、ダイヤモンド層12は、好ましくは大きな多結晶ダイヤモンド粒子の単層からなり、シリコン基板11に隣接して高ドープ領域12bを有する。ゲートコンタクト16及びソースコンタクト17は、多結晶ダイヤモンド粒子単層の複数個の多結晶ダイヤモンド粒子を覆っていてもよく、多結晶ダイヤモンド粒子の平均粒径よりも狭くてもよい。
Claim (excerpt)：
ドレインコンタクトを有する非ダイヤモンド基板と、前記非ダイヤモンド基板上に形成されたダイヤモンド層と、前記ダイヤモンド層上に形成されたソースコンタクトと、前記ソースコンタクトに隣接して前記ダイヤモンド層上に形成されたゲートと、を有し、前記ソースコンタクトとドレインコンタクトとの間に、前記ダイヤモンド層を介する垂直チャンネルが形成されていることを特徴とする縦型電界効果トランジスタ。
IPC (2)：
H01L 29/784
, H01L 21/336
H01L 29/78 321 B
, H01L 29/78 321 X
, H01L 29/78 321 Y
Cited by applicant (1)
Cited by examiner (1)
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