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J-GLOBAL ID：200903011504930634

高周波プラズマ発生装置

Inventor：
藤井修逸

About 藤井修逸


Applicant, Patent owner：
株式会社アドテック

About 株式会社アドテック


Agent (1)： 村田 紀子
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995215146
Publication number (International publication number)：1996222399
Application date： Jul. 31, 1995
Publication date： Aug. 30, 1996
Summary：
【要約】【課題】 大面積の基板処理が可能な高周波プラズマ発生装置を構成する。【解決手段】 ウエハ支持台3を包囲したプラズマ反応室1の上端壁4において下向きに開口し、前記ウエハ支持台3の台面の実質上全範囲に対応するように配列された複数のプラズマ生成室5、及び前記複数のプラズマ生成室にそれぞれ反応ガスを供給するための複数の制御弁付ガス導入パイプ6を備えたものである。
Claim (excerpt)：
ウエハ支持台を包囲したプラズマ反応室の上端壁において下向きに開口し前記ウエハ支持台の台面の実質上全範囲に対応するように配列された複数のプラズマ生成室を設け、これら複数のプラズマ生成室にそれぞれ反応ガスを供給するための複数の制御弁付ガス導入口を備えたことを特徴とする高周波プラズマ発生装置。
IPC (7)：
H05H 1/46 ,  C03C 15/00 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  C30B 33/12 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065
FI (7)：
H05H 1/46 A ,  C03C 15/00 A ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 A ,  C30B 33/12 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/302 B
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
  • 特開平2-177326
  • プラズマ処理方法及び装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-091812   Applicant：日電アネルバ株式会社
  • 特開昭63-260030
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