Pat

J-GLOBAL ID：200903011511146230

プラズマ成膜方法、プラズマ成膜装置及びそれに用いるプラズマ発生装置

Inventor： 山田 鈴弥 ,  野々垣 良三 ,  和田 徹也 ,  中居 進治
Applicant, Patent owner： 電気化学工業株式会社
Agent (1)： 豊田 善雄 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994215209
Publication number (International publication number)：1996064535
Application date： Aug. 18, 1994
Publication date： Mar. 08, 1996
Summary：

【要約】【目的】 2種類の原料ガスを用いたプラズマCVD法による成膜において、形成される膜の微細組織、化学組成の制御性を向上させ、高品質で化学量論比に近い薄膜を低温で成膜可能とする。【構成】 第1の原料ガスのプラズマ中に、第2の原料ガスのプラズマを到達させることなく、第2の原料ガスのラジカルのみを供給して、第1の原料ガスのイオン・ラジカルと第2の原料ガスのラジカルとを反応させる。

Claim (excerpt)：

第1の原料ガスを励起する第1のプラズマと第2の原料ガスを励起する第2のプラズマを合流させることなく、基板付近の析出場における第1のプラズマ中に第2のプラズマで励起した第2の原料ガスのラジカルを供給して基板面に成膜を行うことを特徴とするプラズマ成膜方法。