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J-GLOBAL ID：200903011518384748
半導体装置の製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
高田 守 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991324281
Publication number (International publication number)：1993160022
Application date： Dec. 09, 1991
Publication date： Jun. 25, 1993
Summary：
【要約】【目的】 酸素プラズマのアッシングでは除去しきれないレジスト残渣などを、水洗などの湿式処理を施すこと無くすべてドライ処理で行うようにするものである。【構成】 まず、酸素プラズマでフォトレジストパターン2をアッシングし、次いで水素プラズマで残渣5をアッシングする。
Claim (excerpt)：
低圧力下の希薄な酸素ガスに高エネルギーを与えることにより発生する酸素プラズマによるアッシングと、半導体装置の製造に使用する不純物等の金属及びオニウム化合物などと揮発性化合物を生成するガスの前記低圧力下で前記高エネルギーを与えることにより発生するプラズマによるアッシングとを組合わせることによりフォトレジストを除去する半導体装置の製造方法。
IPC (3)：
H01L 21/027
, H01L 21/302
, H05H 1/46
