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J-GLOBAL ID：200903011518385540
発光素子用GaPエピタキシャル基板
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
矢口 平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995059131
Publication number (International publication number)：1996255925
Application date： Mar. 17, 1995
Publication date： Oct. 01, 1996
Summary：
【要約】【目的】 発光効率が高く高輝度な緑色発光ダイオードを得る。【構成】 GaP単結晶基板上に複数のバッファ層を設ける。バッファ層をエピタキシャル成長させるに際し、成長開始直後にEPDが急激に減少することを利用し、エピタキシャル成長を少なくとも2層以上設けて、EPDの低いエピタキシャル基板を得る。このエピタキシャル基板の上に発光層を積載すると、結晶性の良い発光層が得られ、高輝度のLEDが得られる。
Claim (excerpt)：
n型GaP単結晶基板上に、該単結晶基板のエッチピット密度(EPD)よりも小さなエッチピット密度を有し、かつエッチピット密度が順次小さくなる複数のn型GaPエピタキシャル成長層をバッファ層として具備し、該バッファ層を介してGaP発光構造を積層したことを特徴とする発光素子用GaPエピタキシャル基板。
IPC (2)：
FI (2)：
H01L 33/00 A
, H01L 21/20
