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J-GLOBAL ID：200903011524089006

シリコン系結晶薄板の製造方法および光電変換素子用基板の製造方法

Inventor： 花田 磨砂也 ,  奥村 義和 ,  三宅 浩二 ,  林 司 ,  緒方 潔
Applicant, Patent owner： 日本原子力研究所 ,  日新電機株式会社
Agent (1)： 山本 惠二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999247255
Publication number (International publication number)：2001077044
Application date： Sep. 01, 1999
Publication date： Mar. 23, 2001
Summary：

【要約】【課題】 従来必要だった加熱工程中の注入面の押圧を不要にする。【解決手段】 このシリコン系結晶薄板の製造方法は、シリコンを含有するシリコン系結晶基板2に水素イオン6を注入して、表面から8μm以上の深さR2 の所に注入層8を形成する注入工程(図1A)と、その後シリコン系結晶基板2を加熱して注入層8に空孔を形成する加熱工程(図1B)と、その後シリコン系結晶基板2の注入層8から上側を剥離させてシリコン系結晶薄板16を得る剥離工程(図1C)とを備えている。

Claim (excerpt)：

シリコンを含有するシリコン系結晶基板に水素イオンを注入して、表面から8μm以上の深さの所に注入層を形成する注入工程と、その後前記シリコン系結晶基板を加熱して前記注入層に空孔を形成する加熱工程と、その後前記シリコン系結晶基板の前記注入層から上側を剥離させてシリコン系結晶薄板を得る剥離工程とを備えることを特徴とするシリコン系結晶薄板の製造方法。

IPC (4)：

H01L 21/265 ,  H01L 21/02 ,  H01L 27/12 ,  H01L 31/04

FI (4)：

H01L 21/265 Q ,  H01L 21/02 B ,  H01L 27/12 B ,  H01L 31/04 H

F-Term (5)：

5F051AA16 ,  5F051CB19 ,  5F051GA04 ,  5F051GA11 ,  5F051GA20

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 太陽電池およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-147038   Applicant：株式会社イオン工学研究所
• 結晶薄膜基板の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-256036   Applicant：日新電機株式会社