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J-GLOBAL ID：200903011536228931

ダイアモンド半導体の製造方法

Inventor： 佐藤 淳一
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 高月 亨
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993268391
Publication number (International publication number)：1995106266
Application date： Sep. 30, 1993
Publication date： Apr. 21, 1995
Summary：

【要約】【目的】 ダイアモンド構造の破壊のおそれなく、ダイアモンドにn型ドーピングを行うことができ、また高濃度のn型ドーピングも可能とする技術を提供する。【構成】 炭素を主成分とするダイアモンド半導体の製造方法において、必要に応じ表面をクリーニングしたダイアモンド102にリチウム原子(リチウムの窒素化合物例えばアジ化リチウムから生成されたものであってよい)をECRプラズマを用いてドーピングして拡散層106を得るダイアモンド半導体の製造方法。

Claim (excerpt)：

炭素を主成分とするダイアモンド半導体の製造方法において、リチウム原子をECRプラズマを用いてドーピングすることを特徴とするダイアモンド半導体の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/22 ,  C30B 29/04 ,  H01L 21/324

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

• 特開平4-174517
  
• 特開平1-295416
  
• 特開平3-214620
  
• 特開平1-242141
  

Cited by examiner (4)

• 特開平4-174517
  
• 特開平1-295416
  
• 特開平3-214620
  
• 特開平1-242141