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J-GLOBAL ID：200903011547017231
水素終端ホモエピタキシャルダイヤモンドを用いたFETおよびその製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
沼形 義彰 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994221275
Publication number (International publication number)：1996088235
Application date： Sep. 16, 1994
Publication date： Apr. 02, 1996
Summary：
【要約】【目的】 エンハンスドモードで動作し相互コンダクタンスの大きなFETを提供する。p型半導体を得るに当たって不純物注入の工程を必要とせず、製造プロセスを簡略化する。【構成】 表面を水素原子で終端した水素終端ホモエピタキシャルダイヤモンド2の表面に金からなるソースオーミックコンタクト3とドレインオーミックコンタクト4と、アルミニウムからなるゲート電極5を形成した水素終端ホモエピタキシャルダイヤモンドを用いたFET1。
Claim (excerpt)：
表面を水素原子で終端したダイヤモンドのp型表面導電層に形成した水素終端ダイヤモンドを用いたFET。
IPC (4)：
H01L 21/338
, H01L 29/812
, C30B 25/00
, H01L 21/205
