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J-GLOBAL ID：200903011547498450

導電性高分子材料の製造装置及びその製造方法

Inventor： 浅田 学 ,  飯沼 武彦 ,  浦野 新一
Applicant, Patent owner： 日新電機株式会社
Agent (1)： 山野 宏 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998338178
Publication number (International publication number)：2000160393
Application date： Nov. 27, 1998
Publication date： Jun. 13, 2000
Summary：

【要約】【課題】 陽極に絶縁被覆を設けることなく導電性高分子膜を容易に形成できる導電性高分子材料の製造装置と製造方法を提供する。【解決手段】 電解液4を蓄えた電解槽1、陽極2および陰極3を具え、陽極2を電解液4に接触させながら通過することで陽極2の表面に導電性高分子膜12を形成する装置である。陽極2を電解槽1に導入する際、折り曲げ機構7を通すことで陽極2の断面形状を凹型にする。そして、陽極2の一面側のみを電解液4に接触させて導電性高分子膜12を形成する。

Claim (excerpt)：

電解液を蓄えた電解槽、陽極および陰極を具え、前記陽極を電解液に接触させながら通過することで陽極の表面に導電性高分子膜を形成する導電性高分子材料の製造装置において、前記陽極の一面側のみに電解液を接触させる手段を具えることを特徴とする導電性高分子材料の製造装置。

IPC (2)：

C25D 9/02 ,  C08G 61/12

FI (2)：

C25D 9/02 ,  C08G 61/12

F-Term (11)：

4J032BA03 ,  4J032BA08 ,  4J032BA09 ,  4J032BA13 ,  4J032BC24 ,  4J032BC25 ,  4J032BC26 ,  4J032BC29 ,  4J032BC32 ,  4J032BD09 ,  4J032CG01