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J-GLOBAL ID：200903011553424590

薄膜トランジスタ

Inventor： 金子 好之 ,  筒井 謙 ,  山口 宗明
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991197719
Publication number (International publication number)：1993048096
Application date： Aug. 07, 1991
Publication date： Feb. 26, 1993
Summary：

【要約】【目的】スイッチング素子用途あるいは光センサ用途で、オンオフ比あるいは明暗電流比を改善向上した非晶質シリコン薄膜トランジスタを提供する。【構成】半導体層に関し、ゲート電極とは反対側に絶縁膜を介してゲート補助電極を設け、これに固定の電圧を印加して駆動する。【効果】本発明による薄膜トランジスタによれば、半導体層の電位浮遊の面の制御が確実になり、その結果スイッチング用途ではオンオフ比あるいは光センサ用途では明暗電流比が大幅に改善される。

Claim (excerpt)：

少なくともゲート電極、ゲート絶縁膜である第一の絶縁膜、半導体層、ソース電極およびドレイン電極を有し、さらに該半導体層に関しゲート電極とは反対側に第二の絶縁膜を介して導電性のゲート補助電極を少なくとも有する薄膜トランジスタであって、上記ゲート補助電極の電位を固定して駆動することを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (4)：

H01L 29/784 ,  H01L 27/12 ,  H01L 27/146 ,  H01L 31/10

FI (5)：

H01L 29/78 311 G ,  H01L 27/14 A ,  H01L 29/78 311 J ,  H01L 31/10 E ,  H01L 31/10 A