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J-GLOBAL ID：200903011592627318

シリコンの精密加工方法

Inventor： 森本 孝
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社
Agent (1)： 山川 政樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992323838
Publication number (International publication number)：1994151387
Application date： Nov. 10, 1992
Publication date： May. 31, 1994
Summary：

【要約】【目的】 段差のあるシリコン膜上でもシリコン酸化膜のマスクを低寸法変換差で形成し、かつシリコン膜のエッチング中にマスク寸法の減少を少なくする。【構成】 ウエハ1の主面上にパタン形成されたホトレジスト5と極めて薄いシリコン酸化膜40をマスクとして、シリコン膜3を予めハロゲン化ガスによるプラズマエッチング法でエッチングしたのち、続いてハロゲン化ガスと酸素を含むプラズマエッチング法でエッチングする。このとき、酸化膜40の厚さは加工寸法の許容寸法変換差の半分以下、つまり50Å以下とする。これにより、シリコンエッチング中のホトレジストのエッチングによる後退をシリコン膜の加工精度と無関係にできる。また、酸化膜40の膜厚が極めて薄いので、等方的なエッチングによる除去によっても加工による線幅減少量をその膜厚の2倍の100Å程度に抑えることができる。

Claim (excerpt)：

ウエハ主面上にシリコン層と,このシリコン層上にシリコン酸化物あるいはシリコン窒化物からなる膜とレジスト層を順次形成する工程と、前記レジスト層をリソグラフィ技術によってパタン形成する工程と、前記レジストパタンをマスクとして、前記シリコン酸化物あるいはシリコン窒化物からなる膜をエッチングによりパタン形成する工程と、前記レジストパタンとパタン形成されてなるシリコン酸化膜あるいはシリコン窒化膜をマスクとして前記シリコン層を予めハロゲン化ガスによるプラズマエッチング法でエッチングしたうえ、続いてハロゲン化ガスと酸素を含むプラズマエッチング法によりエッチングする工程とを備えることを特徴とするシリコンの精密加工方法。

IPC (3)：

H01L 21/302 ,  C23F 1/00 102 ,  C23F 4/00

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平2-309633
  
• 特開平4-240729
  
• 特開平4-263424
  
• 特開昭63-052412