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J-GLOBAL ID：200903011593218560

プラズマCVD装置

Inventor： 竹内 良昭 ,  円谷 信一
Applicant, Patent owner： 三菱重工業株式会社
Agent (1)： 鈴江 武彦 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997308789
Publication number (International publication number)：1999140653
Application date： Nov. 11, 1997
Publication date： May. 25, 1999
Summary：

【要約】【課題】膜の結晶性を向上することを課題とする。【解決手段】真空チャンバ21と、この真空チャンバ21に原料ガスを導入、排出する手段と、前記真空チャンバ21内に配置され、基板22を加熱する基板加熱ヒータ23と、前記真空チャンバ21内に配置され、上部に開口部を有した成膜ユニット25と、この成膜ユニット25の開口部に前記基板22と対向するようにセットされ、開口部を有するラダー電極24と、前記成膜ユニット25の底部に該成膜ユニット25と絶縁して配置された電位制御板31と、この電位制御板31の電位を制御する電位制御電源30と、前記ラダー電極24とヒータ23間、前記ラダー電極24と電位制御板31間にプラズマを発生させる手段とを具備することを特徴とするプラズマCVD装置。

Claim (excerpt)：

反応容器と、この反応容器に原料ガスを導入、排出する手段と、前記反応容器内に配置され、被処理物を加熱するヒータと、前記反応容器内に配置され、上部に開口部を有した成膜ユニットと、この成膜ユニットの開口部に前記被処理物と対向するようにセットされ、開口部を有する電極と、前記成膜ユニットの底部に該成膜ユニットと絶縁して配置された電位制御板と、この電位制御板の電位を制御する電位制御電源と、前記電極とヒータ間、前記電極と電位制御板間にプラズマを発生させる手段とを具備することを特徴とするプラズマCVD装置。

IPC (3)：

C23C 16/50 ,  H01L 21/205 ,  H01L 31/04

FI (3)：

C23C 16/50 ,  H01L 21/205 ,  H01L 31/04 X