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J-GLOBAL ID：200903011593895820

半導体ウェハ研磨装置

Inventor： 泉 重人 ,  新井 初雪
Applicant, Patent owner： スピードファム株式会社
Agent (1)： 鈴木 弘男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996249727
Publication number (International publication number)：1998098016
Application date： Sep. 20, 1996
Publication date： Apr. 14, 1998
Summary：

【要約】【課題】 半導体ウェハ表面に形成した膜を所定の厚みに、かつ平滑度を正しく研磨する半導体ウェハ研磨装置を提供する。【解決手段】 半導体ウェハ表面に形成された層間膜を化学的機械的研磨方法で研磨する半導体研磨装置1を次のように構成した。すなわち、半導体ウェハ3に形成された層間膜の厚みを半導体ウェハの研磨前及び研磨後に計測する計測器16と、計測器が計測した層間膜の膜厚に基づき半導体ウェハの研磨状態を検出し、検出した研磨状態と基準膜厚とを比較して半導体ウェハ研磨装置の研磨条件を制御する制御部等とから半導体ウェハ研磨装置を構成した。これにより、研磨前後において半導体ウェハの膜厚を検出でき、研磨装置の研磨状態を正確に把握でき、把握した研磨状態に基づいて適切な研磨を行うことができる。

Claim (excerpt)：

半導体ウェハ表面に形成された層間膜を化学的機械的研磨方法で研磨する半導体ウェハ研磨装置において、前記半導体ウェハの層間膜の厚みを該半導体ウェハの研磨前及び研磨後に計測する計測手段と、前記計測手段が計測した前記層間膜の膜厚に基づき前記半導体ウェハの研磨状態を検出する検出手段と、前記検出手段が検出した研磨状態と半導体ウェハの基準膜厚とを比較し前記半導体ウェハ研磨装置の研磨条件を制御する制御手段と、からなることを特徴とした半導体ウェハ研磨装置。

IPC (4)：

H01L 21/304 321 ,  H01L 21/304 ,  B24B 37/04 ,  H01L 21/66

FI (4)：

H01L 21/304 321 E ,  H01L 21/304 321 M ,  B24B 37/04 D ,  H01L 21/66 P