半導体装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001395241
Publication number (International publication number)：2002305305
Application date： Dec. 26, 2001
Publication date： Oct. 18, 2002
Summary：

【要約】【課題】従来のIGBTは、高速なスイッチング速度が可能で、ノイズを低減することが困難であった。【解決手段】本発明のIGBT10は、n+バッファ層13を有するパンチスルー構造とされ、n+型のバッファ層13とp+型のドレイン層11の相互間にp-型の低濃度層12を有している。この低濃度層12により、ターンオフ時にドレイン電流が急速に減少せずゆっくり切れる。したがって、ドレイン電圧の振動を防止でき、ノイズを低減できる。

Claim (excerpt)：

第1導電型のドレイン層と、前記ドレイン層の上方に形成された第2導電型のバッファ層と、前記バッファ層の上に形成された第2導電型の高抵抗層と、前記高抵抗層の上に形成された第1導電型のベース層と、前記ベース層の表面領域に形成された高不純物濃度の第2導電型のソース層と、前記ベース層に絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、前記ドレイン層とバッファ層の間に形成され、前記ドレイン層及びバッファ層より不純物濃度が低い低濃度層とを具備することを特徴とする半導体装置。

IPC (4)：

H01L 29/78 655 , H01L 29/78 652 , H01L 29/78 653 , H01L 21/336

FI (7)：

H01L 29/78 655 B , H01L 29/78 652 G , H01L 29/78 653 A , H01L 29/78 655 C , H01L 29/78 658 H , H01L 29/78 658 A , H01L 29/78 658 E

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

特開昭64-045173
伝導度変調型半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-238931 Applicant：株式会社東芝

Cited by examiner (2)

特開昭64-045173
伝導度変調型半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-238931 Applicant：株式会社東芝

Return to Previous Page