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J-GLOBAL ID：200903011609221388

半導体レーザ

Inventor： 皆川 重量 ,  田中 俊明 ,  川中 敏 ,  石谷 善博 ,  柳澤 浩徳
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992145407
Publication number (International publication number)：1993343793
Application date： Jun. 05, 1992
Publication date： Dec. 24, 1993
Summary：

【要約】【目的】情報処理用機器にもちいられるAlGaInP可視光半導体レーザの発振閾電流を下げ、より高温での動作を可能とする。【構成】図1のn-GaInP層5を埋込層として用いる。このn-GaInP層はSiを高濃度にドープしてあり(>5×1018cm-3)、レーザの発振波長エネルギよりも60meV以上大きな禁制帯幅を有している。n-GaInPの代りに同じくSiを高濃度ドープしたn-AlGaInPをもちいてもよい。又、n-GaAs層14の全部でなく、一部分をこれらの結晶で置き換えても良い。【効果】埋込層にSiを高濃度にドープしたGaInP又はAlGaInPをもちいるとレーザ光の内部吸収を低減することができ、発振閾電流値を低下させることが出来る。

Claim (excerpt)：

インデックス・ガイド型半導体レーザのメサストライプの埋込み層の一部又は全部をGaInP層又はAlGaInP層とし、かつ該埋込層の禁制帯幅を該レーザの発振波長エネルギーよりも60meV以上大きく設定した半導体レーザ。