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J-GLOBAL ID：200903011612036591

ダミー要素を備えた特定用途向け集積半導体製品

Inventor： クリストフ ルートヴイツヒ ,  マルクス ヒユーブル ,  ビエルン シユトイリツヒ
Applicant, Patent owner： シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト
Agent (1)： 富村 潔
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998034065
Publication number (International publication number)：1998223766
Application date： Jan. 30, 1998
Publication date： Aug. 21, 1998
Summary：

【要約】【課題】専用集積半導体製品、ロジック素子並びにこのような集積半導体製品の設計方法であって、多種多様に異なる半導体製品を殆ど設計を変えずに、特に半導体製品のメモリユニットを殆ど設計を変えずに製造することを可能とするものを提供する。【解決手段】少なくとも1つのメモリユニットを備えた特定用途向け集積半導体製品が提供され、このメモリユニットは、それぞれ少なくとも1つのメモリ容量を持つ多数のメモリセルを含み、さらに集積半導体製品は付加的なダミー要素を持つ。これらのダミー要素は完成した半導体製品においてはそれ自体の機能は持たない。特にダミー要素は、メモリ容量の製造のためのプロセス工程のパラメータが特定用途向け集積半導体製品に実質的に無関係であるように選ばれている。

Claim (excerpt)：

それぞれ少なくとも1つのメモリ容量(12)を持つ多数のメモリセル(11)を含む少なくとも1つのメモリユニット(3a、3b、3c、3d)と、ダミー要素(14)とが設けられていることを特徴とする特定用途向け集積半導体製品。

IPC (4)：

H01L 21/82 ,  H01L 21/66 ,  H01L 21/8249 ,  H01L 27/06

FI (4)：

H01L 21/82 T ,  H01L 21/66 Y ,  H01L 21/82 B ,  H01L 27/06 321 J