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J-GLOBAL ID：200903011639259150
半導体装置
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
吉田 精孝 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991060253
Publication number (International publication number)：1994151857
Application date： Mar. 25, 1991
Publication date： May. 31, 1994
Summary：
【要約】【目的】厚さが極めて薄いソ-ス部およびドレイン部に対して良好なコンタクトを得る。【構成】ポリシリコン層12のソ-ス部12Sおよびドレイン部12D上部にのみシリサイド層16を形成し、このシリサイド層16上部にバリアメタル層17を形成することにより、ソ-ス部12Sおよびドレイン部12Dの厚みを補強すると共に、Al等の配線金属18との相互拡散を防止する。
Claim (excerpt)：
半導体層にチャネル部を挟んでソ-ス部およびドレイン部を有すると共に、当該チャネル部の上部にゲ-ト電極を有し、ソ-ス部およびドレイン部に対しコンタクトをとる半導体装置において、前記ソ-ス部およびドレイン部上にのみシリサイド層を形成したことを特徴とする半導体装置。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
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