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J-GLOBAL ID：200903011641932415
半導体記憶素子及びこれを用いた半導体記憶装置
Inventor：
,
,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：
角田 芳末
, 磯山 弘信
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003137651
Publication number (International publication number)：2004342843
Application date： May. 15, 2003
Publication date： Dec. 02, 2004
Summary：
【課題】情報の記録及び読み出しを容易に行うことができ、高温環境下或いは長期保存時に記録された内容を安定して保持することができ、比較的簡単な製造方法で容易に製造することができる半導体記憶素子及びこれを用いた半導体記憶装置を提供する。【解決手段】第1の電極2及び第2の電極5の間にアモルファス薄膜4が挟まれて構成され、第1の電極2及び第2の電極5の少なくとも一方の電極5がAl又はCuを含み、アモルファス薄膜4が酸化物により形成された半導体記憶素子10を構成する。また、この半導体記憶素子10と、第1の電極2側に接続された配線と、第2の電極5側に接続された配線とを有して、半導体記憶素子10を多数配置して磁気記憶装置を構成する。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
第1の電極及び第2の電極の間に、アモルファス薄膜が挟まれて構成され、
前記第1の電極及び前記第2の電極のいずれか、もしくは、その両方がAg又はCuを含み、
前記アモルファス薄膜が酸化物により形成されて成る
ことを特徴とする半導体記憶素子。
IPC (1)：
FI (1)：
F-Term (9)：
5F083CR15
, 5F083CR20
, 5F083FZ10
, 5F083JA02
, 5F083JA05
, 5F083JA06
, 5F083JA37
, 5F083JA38
, 5F083JA39
