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J-GLOBAL ID:200903011643026357

面発光型半導体レーザ素子、面発光型半導体レーザアレイ、面発光型半導体レーザビームスキャナ、面発光レーザビーム記録装置およびレーザ記録方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 木村 高久
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1996220189
Publication number (International publication number):1998065266
Application date: Aug. 21, 1996
Publication date: Mar. 06, 1998
Summary:
【要約】【課題】 投影面上でビーム径を真円に近いものとし、焦点深度を大きくとることができ、位置合わせに要求される精度の制約を小さくすることができ、感光体ドラムの偏心により、感光体面上に投影されるビーム径の変動を低減することのできる、面発光型半導体レーザを提供する光出力特性に特段の影響を与えることなく、横モードを安定させながら、偏波面を安定に維持することのできる、面発光型半導体レーザを提供する。【解決手段】 本発明の第1の特徴は、半導体基板1上で活性層3が上部及び下部の半導体多層反射膜2、5により挟まれ、基板と垂直方向に光を放出する垂直共振器型の面発光型半導体レーザ素子において、前記上部及び下部の半導体多層反射膜の内少なくとも一方が基板面内の一方向について、他方向よりも長くなるように構成され、発光ビームの強度パターンが方向性をもつように構成されていることにある。
Claim (excerpt):
半導体基板上で、活性層が上部及び下部の半導体多層反射膜により挟まれ、基板と垂直方向に光を放出する垂直共振器型の面発光型半導体レーザ素子において、前記上部及び下部の半導体多層反射膜の内少なくとも一方が基板面内の一方向について、他方向よりも長くなるように構成され、発光ビームの強度パターンが方向性をもつように構成されていることを特徴とする面発光型半導体レーザ素子。
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)

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