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J-GLOBAL ID：200903011666781683

偏光解析装置および試料測定方法

Inventor： 牧野 徹 ,  鈴木 浩文 ,  諸隈 肇
Applicant, Patent owner： オリンパス光学工業株式会社
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992051807
Publication number (International publication number)：1993249030
Application date： Mar. 10, 1992
Publication date： Sep. 28, 1993
Summary：

【要約】【目的】試料の膜厚の変化等の測定を最適な条件の下で行うことが可能な偏光解析装置を提供することを目的とする。【構成】対照用試料を試料台21に載置して、ホトマルチチプライヤ20及びコンピュータ23によってP偏光成分およびS偏光成分の振幅反射率比Arp/Arsを検出する。この検出された振幅反射率比によって偏光子16をθr =tan-1(Arp/Ars)1/2 の方位に調整し、この条件の下で試料の測定を行う。

Claim (excerpt)：

対照用試料または被測定試料が載置される試料台と、この試料台に載置された試料に偏光を入射させて偏光状態の変化を検出する偏光子および検光子と、を有する偏光解析装置において、対照用試料が試料台に載置された場合、P偏光成分およびS偏光成分の振幅反射率比Arp/Arsを検出する検出手段と、この検出手段によって検出された振幅反射率比によって、前記偏光子をθr =tan-1(Arp/Ars)1/2 の方位に調整する調整手段と、を具備し、この調整手段によって調整された条件の下で試料の測定を行うことを特徴とする偏光解析装置。

IPC (2)：

G01N 21/21 ,  G01J 4/04