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J-GLOBAL ID：200903011672836589
レジストパタ-ンの形成方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993127240
Publication number (International publication number)：1994338452
Application date： May. 28, 1993
Publication date： Dec. 06, 1994
Summary：
【要約】【目的】レジストパタ-ンの限界解像度を向上させ、素子の微細化に対応し得る加工技術を提供する。【構成】基板1上に、露光部分に酸基が発生し、かつ熱処理を行うと当該露光部分が難溶化される性質を有するネガレジスト2Aを塗布する。ネガレジスト2Aを露光、熱処理、現像し、当該ネガレジスト2Aに微細パタ-ンを形成する。ネガレジスト2Aと同様の性質を有するネガレジスト2Bを、ネガレジスト2A上に塗布する。熱処理を行い、ネガレジスト2A中の酸基をネガレジスト2B中に拡散させ、ネガレジスト2A近傍のネガレジスト2Bを難溶化させる。難溶化されていないネガレジスト2Bを除去し、ネガレジスト2Aの開口寸法よりも小さな開口寸法を有する微細パタ-ンを得る。
Claim (excerpt)：
露光部分に酸基が発生し、かつ熱処理を行うと当該露光部分が難溶化される性質を有する第1のネガレジストを半導体基板上に塗布する工程と、前記第1のネガレジストを露光、熱処理、現像し、当該第1のネガレジストに微細パタ-ンを形成する工程と、前記第1のネガレジストと同様の性質を有する第2のネガレジストを当該第1のネガレジスト上に塗布する工程と、熱処理を行い、前記第1のネガレジスト中の酸基を前記第2のネガレジスト中に拡散させ、当該第1のネガレジスト近傍の第2のネガレジストを難溶化させる工程と、難溶化されていない第2のネガレジストを除去する工程とを具備することを特徴とするレジストパタ-ンの形成方法。
IPC (2)：
H01L 21/027
, G03F 7/26 511
