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J-GLOBAL ID：200903011681670090

パターン形成方法

Inventor： 平岩 知子 ,  竹元 一成
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 薄田 利幸
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994325915
Publication number (International publication number)：1996181091
Application date： Dec. 27, 1994
Publication date： Jul. 12, 1996
Summary：

【要約】【目的】高感度の有機化合物薄膜を利用し、エキシマ光照射による自己現像で高精度パターン形成を実現する。【構成】鎖にSi-Si結合およびGe-Ge結合の少なくとも一方を複数個含有するポリアミド酸もしくはポリイミド薄膜を感光性有機高分子薄膜1として所定の基板2上に成膜する。これにエキシマ光を酸素を含まない雰囲気下で照射、露光することにより、自己現像を進行させ、パターン形成を行う。これをレジスト膜1aとして、その下層の被加工膜(例えば炭素膜)3を例えばドライエッチングすれば、高精度にパターン化し、レジストパターン1aを被加工膜3に転写した被加工膜パターン3aを容易に形成することができる。露光時の薄膜は、ポリアミド酸の状態でもポリイミドの状態でも良いが、前者の方が感度が高い。レジスト膜、もしくは層間絶縁膜として最終的に使用するときには膜質を強化するためにポリアミド酸をポリイミドに変化させる。

Claim (excerpt)：

所定の基板上に感光性有機高分子薄膜を形成する工程と、この薄膜にエキシマ光を照射してフォトエッチングする露光工程とを有して成るパターン形成方法において、前記薄膜の形成工程を、その主鎖にSi-Si結合およびGe-Ge結合の少なくとも一方の結合を複数個含有するポリアミド酸もしくはポリイミドの薄膜形成工程とし、前記露光工程を、酸素を含まない雰囲気下で露光し、少なくともエキシマ光の露光による自己現像効果に基づいて薄膜パターンを形成する工程として成るパターン形成方法。

IPC (6)：

H01L 21/302 ,  G03F 7/075 511 ,  G03F 7/20 502 ,  G03F 7/26 521 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/312

FI (2)：

H01L 21/302 Z ,  H01L 21/30 502 R