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J-GLOBAL ID：200903011683051281

半導体光検出装置

Inventor： 村松 雅治
Applicant, Patent owner： 浜松ホトニクス株式会社
Agent (1)： 長谷川 芳樹 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992133642
Publication number (International publication number)：1993322653
Application date： May. 26, 1992
Publication date： Dec. 07, 1993
Summary：

【要約】【目的】 本発明は、光波長分解能を損なうことなく分光測光を行うことのできる半導体光検出装置を提供することを目的とする。【構成】 半導体光検出基板の表面に透明導電膜(26)が形成された一次元イメージセンサチップ(13)はパッケージ(12)に載置され、パッケージリード(18)とはボンディングワイヤ(17)によって導通がとられている。この透明導電膜(26)は、例えばグラウンドに接地されている。透過波長可変フィルタ(14)は、イメージセンサチップ(13)の透明導電膜(26)上に取り付けられており、これらは接着剤(15)によって固定されている。フィルタ(14)の周囲の接着剤(15)上には遮光性の樹脂(16)が形成されており、フィルタ(14)以外からイメージセンサチップ(13)へ光が入射するのを防止している。ここで、透明導電膜(26)が電磁シールドとして機能する。

Claim (excerpt)：

複数の半導体光検出素子が表面にモノリシックに配列された半導体光検出基板と、この半導体光検出基板の上方にこの半導体光検出基板とほぼ平行に配置され、光の入射位置によって透過光の波長が異なる干渉フィルタとを備え、前記干渉フィルタは、位置によって厚みの異なる透明誘電体膜を2枚の半透明の金属膜で挟んだものであり、前記半導体光検出基板は、その表面が絶縁保護膜を介して透明導電膜で覆われており、前記透明導電膜は、インピーダンスが低く電位が安定した電源に接続されていることを特徴とする半導体光検出装置。

IPC (4)：

G01J 3/36 ,  G01J 1/02 ,  G01J 3/26 ,  G01J 5/02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭62-267623
  
• 特開昭61-168956
  
• 特開昭57-136869