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J-GLOBAL ID：200903011684678164

半導体レーザ

Inventor： 北村 智之 ,  平田 照二
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 岩谷 龍
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001247187
Publication number (International publication number)：2003060288
Application date： Aug. 16, 2001
Publication date： Feb. 28, 2003
Summary：

【要約】【課 題】 本発明は、注入キャリア密度に基づく屈折率分布を均一にすることにより、FFP形状を単峰化し安定させた半導体レーザを提供することを目的とする。【解決手段】 基板上に少なくとも第1導電型の第1クラッド層、活性層、第2導電型の第2クラッド層がこの順に積層されている積層構造を有し、第2クラッド層の上部にストライプ状の電流注入領域を有する半導体レーザであって、前記電流注入領域内に、電流注入領域の共振器長方向と平行な中央線を対称軸として線対称に一本のストライプ状電流非注入領域が設けられていることを特徴とする半導体レーザ。

Claim (excerpt)：

基板上に少なくとも第1導電型の第1クラッド層、活性層、第2導電型の第2クラッド層がこの順に積層されている積層構造を有し、第2クラッド層の上部にストライプ状の電流注入領域を有する半導体レーザであって、前記電流注入領域内に、電流注入領域の共振器長方向と平行な中央線を対称軸として線対称に一本のストライプ状電流非注入領域が設けられていることを特徴とする半導体レーザ。

IPC (3)：

H01S 5/042 610 ,  H01S 5/042 612 ,  H01S 5/042 614

FI (3)：

H01S 5/042 610 ,  H01S 5/042 612 ,  H01S 5/042 614

F-Term (6)：

5F073AA05 ,  5F073AA07 ,  5F073AA61 ,  5F073DA14 ,  5F073EA18 ,  5F073EA24

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭53-020786
  
• 特開平1-214188