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J-GLOBAL ID：200903011690726413

半導体装置

Inventor： 若林 巍
Applicant, Patent owner： 松下電子工業株式会社
Agent (1)： 前田 弘 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991263984
Publication number (International publication number)：1993102374
Application date： Oct. 11, 1991
Publication date： Apr. 23, 1993
Summary：

【要約】【目的】 実装時の熱衝撃に対して、封止樹脂の剥離或いはクラック等が発生しないようにする。【構成】 樹脂封止型半導体装置Aにおいて、リードフレームBのインナーリード部5aの下部表面及びダイパッド部4の下部表面にトリアジンチオール化合物よりなる薄膜層7が形成されている。【効果】 トリアジンチオール化合物のチオール基がリードフレームの42アロイや銅などの金属表面と強固に吸着反応すると共に、置換基が封止樹脂の樹脂成分に対して化学結合するか又は強い親和力を有しているため、リードフレームのインナーリード部及びダイパッド部と封止樹脂との結合力が強められる。

Claim (excerpt)：

半導体素子を載置せしめたリードフレームのインナーリード部及びダイパッド部が樹脂封止されてなる半導体装置であって、前記インナーリード部及びダイパッド部の表面のうちの少なくとも一部にトリアジンチオール化合物からなる薄膜層が形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 23/50 ,  H01L 23/28