Pat

J-GLOBAL ID：200903011694525048

半導体基材及び基板上へのマスク層形成方法

Inventor： 只友 一行 ,  岡川 広明 ,  大内 洋一郎 ,  湖東 雅弘
Applicant, Patent owner： 三菱電線工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999072362
Publication number (International publication number)：2000269144
Application date： Mar. 17, 1999
Publication date： Sep. 29, 2000
Summary：

【要約】【課題】 マスク層を多層に設けることなく、転位欠陥を事実上消去することができる半導体基材及び基板上へのマスク層形成方法を提供すること。【解決手段】 サファイア等のベース基板1上に半導体層2を設け、その上にマスク層3を介して半導体結晶層4を気相成長する。本発明においては、マスク層3に斜面部31を具備させている。この斜面部31は、厚さ方向の断面形状において基板1の非マスク部の一部を少なくとも覆う形状であり、これにより基板1上に半導体結晶4を成長させた場合、非マスク部を通じて基板1から延伸してくる転位線Hの進路を塞ぐこととなり、結果として転位線Hを遮断した状態で半導体結晶4が成長できる。

Claim (excerpt)：

基板と、該基板上にマスク層を介して選択成長された半導体結晶とからなる半導体基材であって、前記マスク層は、厚さ方向の断面形状において非マスク部の一部を覆う斜面部を有することを特徴とする半導体基材。

IPC (2)：

H01L 21/205 ,  H01L 33/00

FI (2)：

H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C

F-Term (18)：

5F041AA40 ,  5F041CA33 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F045AA04 ,  5F045AA18 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB32 ,  5F045AF02 ,  5F045AF09 ,  5F045AF20 ,  5F045BB12 ,  5F045DA53 ,  5F045DB04 ,  5F045HA02