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J-GLOBAL ID：200903011727044490

プラズマ発生装置

Inventor：
川本 英明

About 川本 英明


Applicant, Patent owner：
日本電気株式会社

About 日本電気株式会社


Agent (1)： 若林 忠
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996172101
Publication number (International publication number)：1998022265
Application date： Jul. 02, 1996
Publication date： Jan. 23, 1998
Summary：
【要約】【課題】 低圧高密度で、かつ、均一な密度分布を持つプラズマを生成することにより、プラズマ照射時のチャージアップによる半導体素子破壊を防止し、またウェハ処理状態のウェハ面内均一性を向上させる。【解決手段】 円筒状誘電体の外周壁に巻回された第1の高周波コイルと、平板状誘電体に設けられた凹状または凸状の部分に巻回された第2の高周波コイルを設ける。それぞれの高周波コイルに独立に高周波電力を供給することによりプラズマ密度分布の偏りを補正し、均一化することができる。
Claim (excerpt)：
円筒状誘電体と該円筒状誘電体の上面開口部を閉塞する平板状誘電体からなる真空チャンバーであって、チャンバー外部に対して凹状または凸状の形状を有する部分が前記平板状誘電体に設けられた真空チャンバーと、該真空チャンバーの内部にガスを導入する手段と、前記円筒状の誘電体の外周壁に巻回された第1の高周波コイルと、前記凹状または凸状の形状を有する部分の外壁に巻回された第2の高周波コイルと、前記第1の高周波コイルおよび前記第2の高周波コイルに高周波電源を結合する手段とを有することを特徴とするプラズマ発生装置。
IPC (3)：
H01L 21/3065 ,  H01L 21/205 ,  H05H 1/46
FI (3)：
H01L 21/302 B ,  H01L 21/205 ,  H05H 1/46 L
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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