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J-GLOBAL ID:200903011734989190
シリコン基板のはり合わせ方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
高月 亨
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1994073304
Publication number (International publication number):1995283382
Application date: Apr. 12, 1994
Publication date: Oct. 27, 1995
Summary:
【要約】【目的】 シリコン基板のはり合わせ時のはり合わせ面のボイドの発生、特に、はり合わせ面の表面荒さに起因するボイドの発生を防止したシリコン基板のはり合わせ方法を提供する。【構成】 はり合わせ面の面方位が(100)のシリコン基板の少なくとも該はり合わせ面を熱酸化?@し、少なくともはり合わせ面の該熱酸化膜を除去?Aした後、該シリコン基板の少なくともはり合わせ面をH2 O2 やO3 水溶液等の酸化性の液により酸化?Bし、その後他のシリコン基板(例えば(100)基板)または他種材料の基板とはり合わせるシリコン基板のはり合わせ方法。
Claim (excerpt):
はり合わせ面の面方位が(100)のシリコン基板の少なくとも該はり合わせ面を熱酸化し、少なくともはり合わせ面の該熱酸化膜を除去した後、該シリコン基板の少なくともはり合わせ面を酸化性の液により酸化し、その後他のシリコン基板または他種材料の基板とはり合わせることを特徴とするシリコン基板のはり合わせ方法。
IPC (5):
H01L 27/12
, H01L 21/02
, H01L 21/18
, H01L 21/304 321
, H01L 21/306
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