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J-GLOBAL ID：200903011768356944

溶解阻止ホトレジスト

Inventor： 岩崎 治夫
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991304301
Publication number (International publication number)：1993259151
Application date： Nov. 20, 1991
Publication date： Oct. 08, 1993
Summary：

【要約】【目的】ノボラック樹脂の現像液への溶解をおさえることができ、矩形パターン形成を可能にし、微細なレジストパターンを形成が可能な溶解阻止レジストを提供することにある。【構成】本発明のノボラック樹脂は、その溶解を阻止する基としてクラウンエーテル(b)を用いることにより、より大きな溶解阻止効果が得られる。【効果】ノボラック樹脂の現像液への溶解をおさえることができるので、矩形パターン形成を可能にし、微細なレジストパターンの形成を可能にする。

Claim (excerpt)：

半導体デバイスの製造プロセス中の光リソグラフィー工程に用いられるホトレジストにおいて、感光物質の中にクラウンエーテルなる相間移動能力を有する材料を含むことを特徴とする溶解阻止ホトレジスト。

IPC (4)：

H01L 21/312 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/004 503 ,  G03F 7/039 501