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J-GLOBAL ID：200903011771868492

半導体装置の製造方法

Inventor： 矢野 博之 ,  重田 厚 ,  小寺 雅子 ,  青木 利一郎
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 則近 憲佑
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992132978
Publication number (International publication number)：1993326469
Application date： May. 26, 1992
Publication date： Dec. 10, 1993
Summary：

【要約】【構成】 半導体基板上に絶縁膜を形成する工程と、該絶縁膜の少なくとも一部を酸化セリウムを含む研磨剤によって研磨し、取り除く工程とを有する。【効果】 酸化セリウムを含む研磨剤を用いることにより、シリコン酸化膜やシリコン窒化等の絶縁膜を高速で研磨することができる。また、研磨の際に上記絶縁膜の内部にアルカリ金属汚染を引き起こす事もない。さらに、絶縁膜表面に傷を発生させることなく段差を平坦化しながら研磨することが可能である。従って、半導体装置の製造において、絶縁膜の工程を実用化する事が容易になる。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に絶縁膜を形成する工程と、該絶縁膜の少なくとも一部を酸化セリウムを含む研磨剤によって研磨し、取り除く工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/304 321 ,  B24B 7/22 ,  B24B 37/00

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

• 特開昭58-061663
  
• 特開昭64-087146
  
• 特開昭59-201756
  
• 特開昭64-045566
  

Cited by examiner (4)

• 特開昭58-061663
  
• 特開昭58-061663
  
• 特開昭64-087146
  
• 特開昭64-087146