光半導体電極、光電変換装置及び光電変換方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：中島淳 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997143924
Publication number (International publication number)：1998334954
Application date： Jun. 02, 1997
Publication date： Dec. 18, 1998
Summary：

【要約】【課題】太陽光を効率的に利用可能でかつ光電変換効率、安定性、耐久性等に優れ、安価にかつ容易に製造し得る光半導体電極を提供すること。【解決手段】金属酸化物半導体の基材表面に、少なくとも下記一般式(I)で表されるペリレン誘導体を吸着させた層を有することを特徴とする光半導体電極である。一般式(I)【化1】一般式(I)中、Rは、置換されていてもよい2価の炭化水素基又は複素環基を表す。

Claim (excerpt)：

金属酸化物半導体の基材表面に、少なくとも下記一般式(I)で表されるペリレン誘導体を吸着させた層を有することを特徴とする光半導体電極。一般式(I)【化1】一般式(I)中、Rは、置換されていてもよい2価の炭化水素基又は複素環基を表す。

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

光半導体電極、光電変換装置及び光電変換方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-338371 Applicant：富士ゼロックス株式会社
特開昭55-124964

Cited by examiner (2)

光半導体電極、光電変換装置及び光電変換方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-338371 Applicant：富士ゼロックス株式会社
特開昭55-124964

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