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J-GLOBAL ID：200903011775826891

半導体装置の製造方法

Inventor： 天宮 泰
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994322651
Publication number (International publication number)：1996181087
Application date： Dec. 26, 1994
Publication date： Jul. 12, 1996
Summary：

【要約】【目的】凸部を有する半導体基板上に、バリや電極材残り等の問題が生じることなく電極を形成する方法を提供する。【構成】エッチングガスとして用いるフッ化物系ガスと酸素ガスの混合比によってエッチング速度を大きく変化させることができるような有機絶縁性物質を用いる。まず電極形成領域に開孔部3を有する第1のBCB膜2Aを形成したのち、全面にWSi膜4と第2のBCB膜2Bを形成してGaAs基板1の表面を平坦化する。次にBCB膜2A,2BとWSi膜4をSF6 と酸素ガスの混合ガスをエッチングガスとする反応性イオンエッチングを用いて、所定の深さまで等速エッチングする。

Claim (excerpt)：

素子の一部を構成する凸部が形成された半導体基板上に第1の有機絶縁膜を形成し凸部を埋める工程と、前記第1の有機絶縁膜をパターニングし電極又は配線形成領域に開孔部を形成する工程と、この開孔部を含む全面に前記凸部の高さより薄い電極又は配線形成用の導電膜を形成したのち第2の有機絶縁膜を形成し前記開孔部を埋めると共に表面を平坦化する工程と、フッ化物系ガスと酸素との混合ガスを用いる反応性イオンエッチング法により前記第2の有機絶縁膜と前記導電膜と前記第1の有機絶縁膜とを等速エッチングし前記開孔部の底面部内のみに前記基板に接続する導電膜を残す工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (7)：

H01L 21/28 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/312 ,  H01L 21/60 301 ,  H01L 21/3213 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/73

FI (3)：

H01L 21/302 F ,  H01L 21/88 D ,  H01L 29/72