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J-GLOBAL ID：200903011781147165

半導体ヘテロ超格子

Inventor： 鷹箸 継典
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 柏谷 昭司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993056622
Publication number (International publication number)：1994268335
Application date： Mar. 17, 1993
Publication date： Sep. 22, 1994
Summary：

【要約】【目的】 半導体ヘテロ超格子に関し、極めて簡単な手段を採ることに依って、GaP-GaAsヘテロ超格子に於けるGaAs層に歪みを導入することを可能にし、量子効率が高い量子井戸を実現し、例えば、高性能の光学遷移素子や半導体レーザなどを得られるようにする。【構成】 Si基板1にGaPからなるバリヤ層3BとGaAsからなる井戸層3Aとで構成された量子井戸であるヘテロ超格子3を形成してある。

Claim (excerpt)：

Si基板にGaPからなるバリヤ層とGaAsからなる井戸層とで構成された量子井戸を形成してなることを特徴とする半導体ヘテロ超格子。

IPC (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/20