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J-GLOBAL ID：200903011807601803
化合物半導体発光素子
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
梅田 勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996033662
Publication number (International publication number)：1997232628
Application date： Feb. 21, 1996
Publication date： Sep. 05, 1997
Summary：
【要約】【課題】 低抵抗オーミック電極を形成することにより、素子抵抗を下げ、素子信頼性に優れた発光素子を実現する。【解決手段】 SiC基板上にInGaAlNを含む化合物半導体層を積層してなり、前記SiC基板としてp型SiC基板を用いる。
Claim (excerpt)：
SiC基板上に形成されたGaxAlyIn1-x-yN(0≦x≦1、0≦y≦1)層を含む化合物半導体素子において、該SiC基板としてp型SiC基板を用いることを特徴とする化合物半導体発光素子。
FI (2)：
H01L 33/00 C
, H01L 33/00 E
